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东芝TK6A60D N沟道MOSFET场效应管，6 A，VDS = 600 V，3针TO220F封装
产品详细信息
较大连续漏极电流6A
较大漏源电压600 V
较大漏源电阻值1.25Ω
较大栅阈值电压4V
较大栅源电压±30 V
东芝TK6A60D封装类型TO220F
安装类型通孔
引脚数目3
通道模式增强
类别开关调节器
较大功率耗散40瓦
宽度4.5毫米
典型关断延迟时间为60ns
每片芯片元件数目1
尺寸10×4.5×15毫米
长度10毫米
东芝TK6A60D较高工作温度 150°C
高度15毫米
典型输入电容值@Vds 800 pF的@ 25 V
典型栅极电荷@Vgs 16 NC @ 10 V
典型接通延迟时间为40ns
